可控硅元件存在的較大弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓能力較差。可控硅的熱容量很小：一旦過流，溫度急劇上升，器件被燒壞，所以必須對(duì)它采用適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。
例如：一只16A的可控硅過電流為160A時(shí)，僅允許持續(xù)0.02秒，否則將被燒壞；
可控硅承受過電壓的能力極差。單向可控硅的電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。而對(duì)于雙向可控硅來講當(dāng)無論正反向電壓一但超過轉(zhuǎn)折電壓，就會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。
所以，我們要對(duì)可控硅進(jìn)行過電流和過電壓保護(hù)。
1、可控硅過電流保護(hù)
采用快速熔斷器來進(jìn)行過電流保護(hù)。熔斷器是最簡(jiǎn)單有效的保護(hù)元件，由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前可控硅已被燒壞，所以不能用了保護(hù)可控硅。針對(duì)可控硅、硅整流元件過流能力差的特點(diǎn)，專門制造了快速熔斷器稱為快熔，快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，它具有快熔斷特性，能做到當(dāng)流過5倍額定電流時(shí)，熔斷時(shí)間小于0.02s，在通常的短路電流時(shí)，能保證在可控硅管損壞前，快熔斷短路電流，適用于短路保護(hù)場(chǎng)合
除了快速熔斷器外，還有其他的過流保護(hù)方法，如過電流繼電器、過負(fù)荷繼電器、直流快速斷路器等。過電流繼電器常和門極斷開裝置安裝在一起，動(dòng)作快，經(jīng)1~2ms就可以使斷路器跳閘，其信號(hào)由交流側(cè)的電流互感器取得。當(dāng)發(fā)生換相故障時(shí)，有可能使斷路器動(dòng)作，而快速熔斷器并不燒壞。過負(fù)荷繼電器是熱動(dòng)型繼電器，安裝在交流側(cè)進(jìn)線端．用于進(jìn)線可控硅過負(fù)荷的熱保護(hù)。直流快速熔斷器，它應(yīng)先于快速熔斷器和可控硅動(dòng)作，以避免經(jīng)常更換快速熔斷器，從而降低運(yùn)行費(fèi)用。
2、過電壓保護(hù)
引起過電壓的主要原因是電路中含有電感元件（如變壓器、電抗器線圈等）。例如，當(dāng)變壓器原邊電路的拉閘、整流裝置直流側(cè)的開關(guān)切斷，快速熔斷器熔絲的熔斷、可控硅由正向?qū)ㄞD(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄鄷r(shí)出現(xiàn)的自感電動(dòng)勢(shì)以及雷電等都可能引起過電壓。
消除過電壓現(xiàn)象通常可以采用阻容吸收電路。可控硅過電壓阻容保護(hù)電路是利用電容來吸收過電壓，其實(shí)質(zhì)是將引起過電壓的磁場(chǎng)能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存在電容器之中，然后電容器通過電阻放電，把能量逐漸消耗在電阻中，這就是過電壓保護(hù)的基本方法。
阻容吸收裝置的接入方式有三種，阻容吸收電路可以并聯(lián)在可控硅電路的交流側(cè)、直流側(cè)或器件側(cè)。
除了阻容吸收回路外，還可采用硒堆保護(hù)，壓敏電阻保護(hù)，雪崩光電二極管吸收電路，可控硅吸收回路，可控硅反向電壓保護(hù)電路等。
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環(huán)昕微實(shí)業(yè)
