可控硅PDF參數(shù)規(guī)格書中英文對(duì)照表，參數(shù)介紹。
1、反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VRRM）：可控硅反向阻斷時(shí)允許重復(fù)加在可控硅上最大瞬時(shí)值反向電壓，包括所有的重復(fù)瞬態(tài)電壓。反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為反向不重復(fù)峰值電壓（VRSM）的90%
2、正向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）：可控硅正向阻斷時(shí)允許重復(fù)加在可控硅上最大瞬時(shí)正向電壓。正向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為正向斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（VDSM）的90%
3、反向重復(fù)峰值電流（IRRM）：在門極斷路時(shí)，可控硅加上反向重復(fù)峰值電壓時(shí)的峰值漏電流
4、斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM）：在門極斷路時(shí)，可控硅加上斷態(tài)重復(fù)峰值電壓時(shí)的峰值漏電流
5、門極觸發(fā)電流（IGT）：使可控硅由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必需的最小門極電流
6、門極觸發(fā)電壓（VGT）：產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必須的最小門極電壓
7、通態(tài)均方根電流（IT（RMS））：通態(tài)電流在一個(gè)周期內(nèi)的均方根值
8、通態(tài)平均電流（IT（AV））：通態(tài)電流在一個(gè)周期內(nèi)的平均值
9、浪涌電流（ITSM）：在額定結(jié)溫下，在工頻正弦波半周期間元件所能承受的最大過載電流
10、通態(tài)電流臨界上升率（di/dt）：在規(guī)定結(jié)溫下，可控硅用門極開通時(shí)所能承受而不導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流的最大通態(tài)電流上升率
11、斷態(tài)電壓臨界上升率（dv/dt）：在額定結(jié)溫和門極斷路時(shí)，使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率
12、峰值通態(tài)電壓（VTM）：可控硅通以π倍或規(guī)定倍數(shù)額定通態(tài)平均電流值時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓
13、維持電流（IH）：在室溫及門極斷路時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通后，從較大的通態(tài)電流下降到維持通態(tài)所必須的最小通態(tài)電流
14、擎住電流（IL）：可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)換到通態(tài)瞬間移除觸發(fā)信號(hào)后，要保持元件維持通態(tài)所需要的最小電流。同一個(gè)可控硅，通常擎住電流IL約為維持電流IH的2~4倍。
15、額定結(jié)溫（Tj）：元件在正常工作條件下所允許的最高PN結(jié)溫度。
16、I2t值：浪涌電流的平方在其持續(xù)時(shí)間內(nèi)的積分值。
17、門極平均值耗散功率（PG（AV））：在規(guī)定條件下，門極正向所允許的最大平均功率。
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環(huán)昕微實(shí)業(yè)
