科技創(chuàng)新

一般保護(hù)可控硅晶閘管線路方法有哪些？

可控硅的保護(hù)電路，大致可以分為兩種情況：一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路，檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流，當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時，借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài)，從而抑制過電壓或過電流的數(shù)值。
一.可控硅的過流保護(hù)
晶閘管設(shè)備產(chǎn)生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因, 如整流晶閘管損壞, 觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等; 其中整流橋晶閘管損壞類較為嚴(yán)重, 一般是由于晶閘管因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力，它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生永久性短路，使在另外兩橋臂晶閘管導(dǎo)通時，無法正常換流，因而產(chǎn)生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過電流，這類情況時有發(fā)生，因為整流橋的負(fù)載實質(zhì)是逆變橋, 逆變電路換流失敗，就相當(dāng)于整流橋負(fù)載短路。另外，如整流變壓器中心點接地，當(dāng)逆變負(fù)載回路接觸大地時，也會發(fā)生整流橋相對地短路。

1.對于第一類過流，即整流橋內(nèi)部原因引起的過流，以及逆變器負(fù)載回路接地時，可以采用第一種保護(hù)措施，最常見的就是接入快速熔短器的方式。見圖1。快速熔短器的接入方式共有三種，其特點和快速熔短器的額定電流見表1。

方式	特點	額定電流IRN	備注
A型	熔短器與每一個元件串聯(lián)，能可靠地保護(hù)每一個元件	IRN<1.57IT	IT：晶閘管通態(tài) 平均電流
B型	能在交流、直流和元件短路時起保護(hù)作用，可靠性稍有降低	IRN<KCID 系數(shù)KC見表2	KC：交流側(cè)線電流與ID之比 ID：整流輸出電流
C型	直流負(fù)載側(cè)有故障時動作，元件內(nèi)部短路時不能起保護(hù)作用	IRN<ID	ID：整流輸出電流

表1：快速熔短器的接入方式、特點和額定電流

型式		單相全波	單相橋式	三相零式	三相橋式	六相零式六相曲折	雙Y 帶平衡電抗器
系數(shù)KC	電感負(fù)載	0.707	1	0.577	0.816	0.108	0.289
系數(shù)KC	電阻負(fù)載	0.785	1.11	0.578	0.818	0.409	0.290

表2：整流電路型式與系數(shù)KC的關(guān)系表

2.對于第二類過流，即整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過電流，則應(yīng)當(dāng)采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。常見的電子保護(hù)原理圖如下

二.晶閘管的過壓保護(hù)

晶閘管設(shè)備在運(yùn)行過程中，會受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。同時，設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過電壓出現(xiàn)。
1.過電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以抑制。見圖3和圖4。

2.過電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。常見的電子保護(hù)原理圖如下：

三.電流上升率、電壓上升率的抑制保護(hù)
1.電流上升率di/dt的抑制
晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以0.1mm/μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個陰極面，若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大，會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。如下圖:

2.電壓上升率dv/dt的抑制
加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。
為抑制dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如下圖：

四、為什么要在晶閘管兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)
在實際晶閘管電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。

我們知道，晶閘管有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN結(jié)組成。

在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。

為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。
由于可控硅過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。
五、整流晶閘管阻容吸收元件的選擇
電容的選擇:
C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If
If=0.367Id
Id-直流電流值
如果整流側(cè)采用500A的晶閘管
可以計算C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×500=1.25-2.5μF
選用2.5μF，1kv 的電容器
電阻的選擇：
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
選擇10歐
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)/2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相電壓的有效值

上一篇：可控硅（晶閘管）選型有哪些技巧？下一篇：有哪些方法可以保護(hù)可控硅？

欄目導(dǎo)航

新聞中心

聯(lián)系我們

聯(lián)系人：劉經(jīng)理

手機(jī)：18926008145

電話：0769-88461176

郵箱：style@m.szyfgmjj.com

地址：東莞市高埗鎮(zhèn)高埗稍潭村理文街第A24座2號

科技創(chuàng)新

一般保護(hù)可控硅晶閘管線路方法有哪些？

相關(guān)新聞

欄目導(dǎo)航

新聞中心

聯(lián)系我們