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可控硅與其他器件區別

可控硅：
1、分為單向可控硅與雙向可控硅。常見的是單向可控硅。
2、電流觸發（脈沖）。關斷條件：陽極與陰極電流小于“維持電流”或陽極與陰極間加反向電壓。
3、只能用于通、斷（開/關）控制。開關頻率低。下圖是單向可控硅等效原理（等效為兩個三極管）：

4、主要用于：調壓、整流、軟起動器、固態繼電器.....
5、一般控制脈動直流（或類似于）或交流。
固態繼電器：
1、分為開關型（是：無觸點開關）與調壓型（可以根據驅動信號的電壓控制導通角，調節電壓）兩種。
2、它是單向可控硅（或雙向可控硅）與觸發電路集成在一起的產物。
3、開關頻率低，一般用于低頻電路。
4、主要用于：自動控制系統的控制執行元件、電加熱控制元件、調壓、代替中間繼電器、、、、、、
場效應管：
1、又名：場效應三極管。
2、是一種壓控元件（全控）。輸入阻抗非常高，輸出阻抗低，驅動功率非常小，主要是結電容引起的驅動電流。
3、工作狀態：截止（關斷）狀態、放大狀態、飽和狀態。
4、工作（開關）頻率高、飽和壓降非常小。
5、主要用于：中小功率開關電源、放大（如：高保真音頻放大）、逆變、控制直流或脈動直流的開關、、、、、用處非常廣。
IGBT：
1、可以等效為（或理解為）：場效應管與大功率三極管組成的復合管。
2、特性類似于場效應管。輸入阻抗非常高，輸出阻抗低，驅動功率非常小，主要是結電容引起的驅動電流、放大倍數高。
3、開關頻率較高，耐壓高、通流能力強（額定電流大）。
4、主要用于：變頻器（逆變）、電磁爐，中、大功率逆變、氬弧焊機等、高頻電源、、、、、

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